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两大类方法进行引入：

一类为利用高能粒子束轰击石墨烯表面，使得石墨烯上碳原子达到溢出能量而丢失，从而制造缺陷。

另外一类则是使用化学的方法，先向石墨烯上负载具有催化活性的金属原子，然后利用某一气氛下，金属原子催化石墨烯上碳原子反应而成为气体溢出，从而制造本征缺陷。

从两个角度考虑如何消除：

其一为使用合适的制备方法，使得制备出的石墨烯本身就具有较低的缺陷浓度；目前可以较大量制备低缺陷石墨烯的方法是利用金属表面催化碳源生长石墨烯的方法。

其二则是对已经含有较多缺陷的石墨烯进行缺陷修复，减少缺陷。一种简单的思路是：将其上的含氧官能团利用还原的方法去除，从而在一定程度上恢复石墨烯长程共轭π 键及均匀的电子云分布。